三星SK海力士HBM4e制程路线分化

三星与SK海力士计划在HBM4e内存芯片采用1c纳米制程，但逻辑芯片制程策略出现分化。SK海力士考虑采用台积电3纳米工艺，三星则继续使用其4纳米工艺并优化架构。关注：此为远期技术路线图，对当前HBM供应、价格及交易无直接影响。

2026/3/25