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天成半导体成功研制14英寸SiC单晶
天成半导体成功研制出30mm有效厚度的14英寸碳化硅单晶，标志着中国大尺寸SiC材料从12英寸导入期迈向商业化第一步，全球大尺寸晶圆竞争加剧。关注：大尺寸晶圆量产将显著提升单晶产出并降低成本，长期可能改变SiC供应链格局。
Silicon Carbide (SiC) substratesSiC wafers
SiCwafercapacity14-inchlarge-wafer
来源：TrendForce · 2026/3/18 · 查看原始来源
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