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2026年3月10日 周二

14 条
  1. 影响评分 95

    内存CPU涨价推高笔记本价40%

    TrendForce预测主流笔记本价格将上涨近40%。内存与CPU供应紧张致内存占比超30%,Intel已上调CPU价格超15%。

    利多

    内存与CPU涨价将挤压供应链利润,小品牌面临更大风险。

    DRAMNAND FlashCPUIntel、AMD缺货预警
  2. 影响评分 98

    高盛预警内存短缺,DDR5价格涨400%

    高盛预测2026年全球PC出货量将下滑12%,DRAM与NAND成本占比升至40%,DDR5现货价格暴涨近400%。结构性内存短缺导致供应紧缩,迫使厂商提价。

    利多

    内存供应商,利空PC整机厂商。

    DDR5NAND FlashDRAMApple、Dell 等 4 家缺货预警
  3. 影响评分 95

    车规DDR5内存价格暴涨300%,驱动新能源车涨价

    奇瑞星途与一汽奔腾宣布对旗下新能源车型涨价2000至5000元,官方明确将芯片等供应链成本压力列为核心驱动力。背景是自2025年下半年起,受AI产业产能虹吸效应影响,车规DRAM中的DDR5内存价格已暴涨300%。

    利多

    汽车芯片,尤其是存储芯片,已出现明确且剧烈的价格上涨,直接传导至终端整车成本。

    DRAMDDR5价格波动
  4. 影响评分 92

    DRAM/SSD成本占比翻倍,Intel CPU涨价超15%

    TrendForce预计,至2026年Q1,主流笔记本中DRAM与SSD的BOM成本占比将从15%突破30%,仅此一项终端售价需上调超30%。Intel已上调部分入门级笔记本CPU报价超15%,并计划Q2进一步提价,同时AI需求排挤导致低端CPU供应吃紧。

    利多

    存储与CPU成本双涨,若维持渠道毛利,终端笔记本售价涨幅或近40%,对相关组件价格构成明确上行压力。

    DRAMSSDCPUIntel、AMD价格波动
  5. 影响评分 95

    车规DDR5内存价格暴涨300%,车企成本骤增

    自2025年下半年起,车规DDR4内存价格累计涨幅超150%,DDR5内存价格暴涨300%,导致新能源汽车单车成本增加1000-3000元。AI领域HBM内存毛利率高达65%,芯片厂商产能优先投向AI,加剧车规芯片供应紧张。

    利多

    明确的价格涨幅数据及AI与汽车行业对产能的争夺,预示车规内存供应紧张与价格上行压力将持续。

    DDR4DDR5价格波动
  6. 影响评分 95

    手机LPDDR5X内存Q1价格暴涨近90%

    2026年Q1手机DRAM售价环比暴涨近九成,12GB LPDDR5X采购成本从约200元飙升至近600元。原因为AI服务器需求挤占产能,导致消费电子端内存供需严重失衡。

    利多

    存储芯片现货价格出现明确、大幅上涨信号,供应链成本压力剧增。

    LPDDR5XUFS 4.0Samsung Electronics、SK Hynix价格波动
  7. 影响评分 95

    内存CPU涨价,笔记本价格涨近40%

    TrendForce预计2026年主流笔记本价格将涨近40%。受DRAM与NAND Flash供应紧张及CPU涨价双重因素驱动。

    利多

    品牌商为保利润率将被迫上调终端售价。

    DRAMNAND FlashCPU价格波动
  8. 影响评分 95

    NAND原厂报价一夜跳涨50%

    群联CEO证实NAND原厂报价一夜跳涨50%,反映供应端极度吃紧。公司库存水位升至500亿新台币,其中仅3%为零售产品,业务正转向企业级并签订长期协议。

    利多

    原厂报价突发性暴涨是供应严重短缺的直接信号,将立即推高现货市场价格。

    NAND Flash价格波动
  9. 影响评分 95

    DRAM与NAND价格Q1暴涨超50%,手机厂调价

    Counterpoint报告显示,2026年第一季度DRAM价格环比上涨超50%,NAND价格环比上涨超90%。存储成本飙升正对智能手机物料成本产生结构性影响,导致OPPO、vivo、小米等品牌本月调涨终端售价。

    利多

    报告提供了明确的、高幅度的存储芯片涨价数据,将直接推高采购成本并迫使终端产品涨价。

    DRAMNAND Flash价格波动
  10. 影响评分 95

    移动DRAM与NAND Flash价格Q1环比暴涨超50%/90%

    Counterpoint报告显示,2026年第一季度移动DRAM与NAND Flash价格环比分别暴涨超50%和90%,导致智能手机BOM成本结构巨变。内存成本在低端机型BOM中占比将升至43%,高端机型成本预计增加100-150美元。

    利多

    内存现货价格已确认大幅上涨,将直接推高采购成本并挤压整机制造商利润。

    DRAMNAND FlashLPDDR4X价格波动
  11. 影响评分 95

    iPhone 17e首销破发,起售价4499元

    iPhone 17e将于2026年3月11日开售,起售价4499元,拼多多上已破发。受全球内存供应紧张影响,256GB起跳的配置升级引发市场抢购。

    利多

    智能手机芯片及存储需求强劲,价格高于预期。

    A19 SoCNAND FlashDRAMApple价格波动
  12. 影响评分 95

    德州仪器4月1日起部分芯片涨价15%-85%

    德州仪器自4月1日起将部分模拟与嵌入式产品线价格上调15%-85%。此消息引发A股模拟芯片概念股集体拉升,上海贝岭触及涨停。

    利多

    行业龙头大幅提价将直接推高现货市场价格,并利好本土替代厂商。

    模拟芯片嵌入式处理器Texas Instruments、上海贝岭 等 8 家价格波动
  13. 影响评分 96

    NAND闪存报价一夜暴涨50%

    群联电子CEO潘健成称,NAND闪存价格一夜暴涨,部分制造商报价上调高达50%。价格上涨源于持续的供应紧缩。

    利多

    明确的价格冲击数据,显示供应端压力巨大,现货市场交易情绪看涨。

    NAND Flash价格波动

2026年3月9日 周一

6 条
  1. 影响评分 95

    闪迪涨6%领涨美股存储板块

    闪迪股价盘中涨幅扩大至6%,西部数据涨超2%,美光科技跌幅收窄至0.1%。美股存储板块整体走强,反映市场对NAND Flash供需格局的乐观预期。

    利多

    关键存储股价格异动直接指向交易层面对NAND短期价格与需求的看涨情绪。

    NAND FlashWestern Digital、Micron Technology价格波动
  2. 影响评分 95

    美光西部数据盘前逆转跌幅,存储股拉升

    美股存储概念股盘前大幅拉升,美光科技由跌超3%转涨,西部数据跌幅从4%收窄至0.5%。此前纳斯达克100指数期货跌幅从2.7%收窄至1%附近。

    利多

    盘前交易显示存储股买盘强劲,逆转日内跌势,预示现货市场情绪可能转向积极。

    NAND FlashDRAMMicron Technology、Western Digital 等 3 家价格波动
  3. 影响评分 95

    存储股盘前普跌,西部数据希捷跌2.5%

    西部数据与希捷科技盘前跌2.5%,美光科技跌近2%,闪迪跌0.3%。美股存储板块整体在盘前交易中走弱。

    利空

    盘前价格下跌为存储芯片现货及期货交易提供直接看跌信号。

    HDDNAND FlashDRAMWestern Digital、Seagate Technology 等 4 家价格波动
  4. 影响评分 95

    MLCC现货价周涨20%,铝电解电容涨12%

    MLCC现货价周环比暴涨15-20%,交期拉长至20-30周;铝电解电容因原材料成本与产能紧张价格上涨8-12%。价格上涨主因是汽车/工业需求强劲、原材料通胀及部分产能转换。

    利多

    现货价格明确上涨与交期显著延长,显示供应紧张加剧,对采购与交易构成直接上行压力。

  5. 影响评分 95

    MLCC及钽电容现货价月涨超15%

    2026年2月无源元件现货价飙升,MLCC涨8-15%,钽电容涨12-20%,铝电解电容涨10-18%。主因是汽车与工业领域需求持续旺盛,叠加产能扩张受限。

    利多

    现货与合约价面临直接上涨压力,交期延长趋势将持续。

    MLCCTantalum CapacitorsAluminum Electrolytic CapacitorsMurata、TDK 等 5 家价格波动
  6. 影响评分 95

    德州仪器电源与隔离芯片4月提价15%-85%

    德州仪器将于4月1日起对电源管理IC和数字隔离器提价15%至85%。此次提价主要受人工智能应用驱动的需求增长影响。

    利多

    对关键模拟芯片品类施加直接且显著的上行价格压力。

    Power ICsDigital IsolatorsTexas Instruments价格波动