台积电减产成熟制程,代工价涨5-10%
TrendForce 预估成熟制程晶圆代工价格将在 2026 年 Q2-Q3 调涨 5-10%,并延续至 2027 年。受 AI 需求排挤及台积电、三星减产影响,产能向 AI 产品倾斜。
成熟制程代工价格中长期看涨。
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TrendForce 预估成熟制程晶圆代工价格将在 2026 年 Q2-Q3 调涨 5-10%,并延续至 2027 年。受 AI 需求排挤及台积电、三星减产影响,产能向 AI 产品倾斜。
成熟制程代工价格中长期看涨。
力合微、格科微等多股涨停,模拟芯片与功率半导体板块领涨。芯片产业链持续走高,资金大幅流入相关标的。
市场情绪高涨,短期买入意愿强烈。
恒指午间跌1.19%,恒生科技指数涨1.4%,半导体及光模块板块领涨,中芯国际涨超7%,澜起科技涨近6%。南向资金净买入58.08亿港元,显示资金大幅流入科技领域。
半导体板块领涨,资金流入明显,短期看涨情绪浓厚。
TrendForce 预测 DDR2 合同价格将在 2026 年第二季度上涨 55-60%,随后在第三季度进一步上涨 35-40%。受消费类 DRAM 短缺蔓延影响,DDR2 供应持续紧张。
DDR2 价格走势。
特朗普买入Axon股票后,ICE发布2.2亿美元电击枪采购通知,Axon股价一周内暴涨34%。白宫否认利益冲突,但合同规格高度吻合Axon产品。
潜在大额订单落地将显著提振公司估值与营收。
兆易创新公告称,半年股价涨近三倍后,利基存储价格处于历史高位且上涨不可持续。受AI需求驱动的主流存储产能切换导致利基市场供应紧张,但下游需求已受抑制。
随着产能边际增加,产品价格将面临大幅回落,短期交易风险显著。
NOR Flash与SLC NAND收入创数十年新高,价格处于历史高位。资本转向先进芯片导致成熟节点供应紧张,且无扩产计划。
结构性短缺驱动价格维持高位。
苹果游说美国政府放行长鑫存储采购,12GB LPDDR5X价格涨幅超270%。生成式AI芯片吞噬产能,供需缺口将持续至2027年,苹果A20芯片出货量或减少10-20%。
引入CXMT仅为防御性布局,无法缓解整体价格和供给紧张。
韩国高纯度CO2库存降至1个月以下,价格自年初以来上涨约20%。供应紧张源于中东地缘政治风险及韩国石化厂开工率偏低。
预计供应紧张将持续至2026年底,迫使三星和SK海力士加紧采购,可能推高芯片制造成本。
美光DRAM平均售价同比涨逾260%,毛利率近85%;苹果与微软因内存短缺宣布涨价。
存储芯片价格,供应链紧张持续。
PNY Performance 32GB DDR5-5600套件在亚马逊降价70美元,现价379.99美元。该套件成为目前最便宜的32GB DDR5套件,尽管时序较宽松且无RGB。
零售端大幅降价反映渠道库存压力或需求疲软,对DDR5现货价格构成下行压力。
截至2026年6月下旬,半导体级氢氟酸(G5级)价格较年初累计上涨20%~30%。核心驱动来自上游原料成本上涨及三星、SK海力士为产能扩张提前备货。
供需偏紧格局确立,价格持续上行。
8GB DRAM价格暴涨8倍,从35美元飙升至300美元。AI服务器与消费电子争夺关键零部件,导致供应极度紧张。
小型厂商面临涨价或减配两难,供应链压力向下游传导。
苹果上调MacBook和iPad售价15-25%,归因于内存成本上升。美光反驳称苹果曾压价致其削减产能,且LPDDR价格同比涨约两倍。产能向AI高带宽内存转移导致消费级芯片短缺,引发新一轮涨价潮。
英伟达 Q1 2026 数据中心以太网交换机营收达 21 亿美元,同比增长 192.7%,市场份额升至 21.5%,首次登顶全球第一。核心驱动力为 Spectrum-X 平台,通过 GPU 与网络的协同设计捕获超大规模云厂商需求,生态锁定效应显现。
市场高速扩张,800G 交换机需求旺盛,英伟达全栈 AI 基础设施布局重塑行业竞争格局。
苹果因内存短缺导致成本压力,上调Mac及iPad售价。传闻中的触屏MacBook Pro将搭载M5芯片,苹果计划跳过M6 Pro/Max。
内存短缺推高成本,导致终端产品价格上涨。
苹果游说特朗普政府特批采购长鑫存储DRAM以缓解成本压力。受存储价格暴涨影响,12GB LPDDR5X合约价飙升至145美元,iPhone 18 Pro内存成本占比将升至27%。
长鑫存储扩产及中国存储供应链。
美股收跌,存储及半导体股全线重挫。ON Semiconductor股价暴跌23.67%,西部数据跌13.13%,希捷跌12.44%。
存储及模拟芯片板块短期承压,需警惕供应链情绪进一步恶化。
自4月以来,日韩MLCC大厂BB比率超1.0,太诱Q1订单额首破千亿日元。下半年NVIDIA及CSP ASIC需求激增,产能扩张严重滞后。
第四季度面临重大结构性短缺。
全球功率半导体企业自2026年以来密集发布涨价函,MOSFET与IGBT核心器件涨幅普遍达10%-25%。本轮涨价源于AI算力基础设施爆发、新能源高景气及8英寸成熟制程产能收缩三重因素共振。
核心逻辑为供给持续紧张,行业利润率有望在未来数年持续改善。