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北京大学开发首个全碳纳米管CFET电路
北京大学团队开发出首个全碳纳米管CFET数字逻辑电路，峰值电压增益达164。该成果采用无掺杂CMOS技术解决了驱动能力失配问题，展示了高稳定性与低功耗特性。利多：标志着碳纳米管作为后硅时代通道材料的重大技术进展，但短期内无商业量产影响。
Carbon Nanotube (CNT)CFET
R&DCFETCarbon Nanotube
2026/7/6
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